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希薄磁性半導体
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'''希薄磁性半導体'''(きはくじせいはんどうたい)は、[[化合物半導体]]の[[結晶]]内の一部を、[[磁性]]を持つ[[原子]]([[鉄]]、[[マンガン]]、[[クロム]]など)で置換した[[磁性半導体]]である。略して'''DMS'''('''D'''iluted '''M'''agnetic '''S'''emiconductor) [[第一原理計算]]に代表される理論面からも、[[分子線エピタキシー法|分子線エピタキシー]]などによる[[結晶成長]]による実験的面からも、研究がなされている。 現在の希薄磁性半導体の弱点は、[[キュリー温度]]の低さである。ほとんどの物は[[液体窒素]]等で冷却した場合にのみ[[強磁性]]を示し、[[常温|室温]]では磁性が消失してしまう。室温で強磁性を示す物の報告もあるが、未だ実験室レベルでの話であり、実用化にはまだ時間がかかると考えられている。 ==DMSの例== *(In, Mn)As ([[インジウム]][[マンガン]][[ヒ素|砒素]]) *(Ga, Mn)As ([[ガリウム]]マンガン砒素) *(Ga, Mn)N (ガリウムマンガン[[窒素|ナイトライド]]) *(Zn, Cr)Te ([[亜鉛|ジンク]][[クロム|クロミウム]][[テルル|テルライド]]) (A, B)Cという書き方は、AサイトをBの原子が置換しているということを強調するために書かれる。いくつか流儀があり、これが絶対ではない。 ==関連記事== *[[スピントロニクス]] *[[半導体]] *[[物性物理学]] {{DEFAULTSORT:きはくしせいはんとうたい}} [[Category:固体物理学]] [[category:半導体]] [[Category:スピントロニクス]]
希薄磁性半導体
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