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'''空乏層'''（くうぼうそう、depletion layer）とは、[[半導体]]の[[PN接合]]などでみられる、[[電荷担体|キャリア]]がほとんどなく、電気的に絶縁された領域のこと。'''欠乏層'''とも言う。

== 概要 ==
[[半導体]]の[[PN接合]]部分や[[ショットキー接合]]、[[MOS接合]]において見られる、[[電子]]や[[正孔]]（キャリア）のほとんど存在しない領域。多数キャリアを欠くことで帯電し、[[電気二重層]]と内蔵電場を形成する。キャリアの移動に対しては1種の障壁として作用する。
空乏層の幅は印加電圧によって変化する。正方向に電圧をかけることによって縮小または解消する。逆方向に電圧をかけた場合には、その範囲が広がり、電子の移動を妨げる。
厚みが1nm前後またはそれ以下になると[[トンネル効果]]を示す。[[ダイオード]]や[[トランジスタ]]など各種の半導体素子で利用される。

== 関連項目 ==
* [[可変容量ダイオード]]

{{半導体}}

[[Category:半導体接合|くうほうそう]]