ショットキー欠陥

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ファイル:Naclschottkydefect.svg
NaCl構造内のショットキー欠陥

ショットキー欠陥(ショットキーけっかん、テンプレート:Lang-en[1])とは、結晶中において、格子点イオンが結晶の外に出た後に空孔が残った欠陥のこと。アルカリハライド結晶NaClRbICsI など)にて観察される。ショットキー欠陥の生成により、密度が変化するが、電気伝導性は増加しない。その名はヴァルター・ショットキーにちなむ。

ショットキー欠陥の欠陥密度の式表現は、熱力学で知られているボルツマン分布や、より正確には統計力学のフェルミ・ディラック分布で表現される。 具体的に、ボルツマン分布で近似した場合、ショットキー欠陥の密度式は、以下のような式になる。

<math>C=A \exp(\frac{-E_f}{kT})</math>

ただし

<math>C</math>:欠陥密度

<math>A</math>:比例定数

<math>E_f</math>:空孔の形成に必要なエネルギー。(一般に、物質の融点が低いほど、空孔形成エネルギーは小さい。)

<math>k</math>:ボルツマン係数

<math>T</math>:絶対温度。(ケルビン単位。)

である。

脚注

テンプレート:Reflist

関連項目

テンプレート:Physics-stub
  1. テンプレート:Cite book