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'''エピタキシャル成長'''('''Epitaxial Growth''')とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる[[結晶]]の上に[[結晶成長]]を行い、下地の基板の[[結晶面]]にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合を''ホモエピタキシャル''、異なる物質である場合を''ヘテロエピタキシャル''と呼ぶ。結晶成長の方法として[[分子線エピタキシー法]]や[[有機金属気相成長法]]、[[液相エピタキシー法]]などがある。 エピタキシャル成長が起こるには[[格子定数]]のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはならない。 なお、現在[[窒化ガリウム]](GaN)は[[サファイア]]基板上に結晶成長をする方法が広く採られているが、両者の格子定数は大きく違うこと等があり、通常の方法ではエピタキシャル成長できない。これを解決するために[[赤崎勇]]が低温バッファー層を導入したことによりサファイア基板上にGaNをエピタキシャル成長することに成功した。GaNのエピタキシャル成長が成功したことにより窒化物系半導体を用いた[[発光ダイオード]]、[[レーザーダイオード]]、電子デバイス、受光素子の発展へとつながった。 == 関連項目 == * [[結晶成長]] * [[分子線エピタキシー法]] * [[有機金属気相成長法]] {{デフォルトソート:えひたきしやるせいちよう}} [[Category:半導体製造]] [[Category:薄膜]]
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